长鑫4F2架构研发获进展，预计年底推出新一代DDR5产品

10月10日，长鑫科技总裁曹堪宇在上海举行的第四届集成芯片和芯粒大会上介绍，公司4F2 DRAM架构研发取得关键进展，预计年底推出融合相关技术的新一代DDR5 RDIMM产品。该架构采用长鑫自研的VSG（垂直包围沟道结构）晶体管，旨在增强栅控能力并缩小芯片面积。 海外存储厂商业绩同步增长。美光2026财年第四财季营收为542.29亿美元，同比增长379%，连续第六个季度创营收纪录；其CEO表示，2027年和2028年的内存及存储供需状况将明显紧于2026年。三星电子2026年第三季度初步业绩显示，单季营业利润约107.4万亿韩元，同比增长782.5%。 Omdia预计，全球DRAM市场规模将从2025年的1505亿美元增至2030年的5710亿美元，2025年至2030年复合增速约30.56%。国盛证券认为，短期供给增量难以完全匹配AI服务器需求增长；国联民生证券则表示，AI需求、供给约束等因素有望推动存储行业盈利中枢上移。 市场方面，年初至今存储芯片概念冲高回落，77只概念股最新价较区间高点回撤超过40%。其中9只超跌概念股同期获得3次及以上机构调研；华润微获调研13次，立昂微10次，鼎龙股份8次，东芯股份6次，澜起科技和安集科技各4次。兆易创新持有长鑫科技股份，公司近日将2026年度与长鑫集团的日常关联交易预计额度由57.11亿元上调至78.54亿元。