台积电、三星将采用阿斯麦High NA光刻技术

阿斯麦宣布将与台积电、三星电子及英特尔推进下一代高数值孔径（High NA）极紫外光刻（EUV）技术应用，用于开发由英伟达等公司设计的大型数据中心芯片。台积电计划自2030年起将阿斯麦High NA用于先进制程大规模生产；三星计划于2028年前首次将High NA用于DRAM大规模生产。 英特尔表示，目前已处理超过100万片采用High NA EUV相关技术的晶圆。三星称，此次合作旨在推动12英寸光掩模技术发展，以取代使用数十年的6英寸光掩模格式。